ЭЛЕМЕНТЫ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР GaInAs, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ
https://doi.org/10.26583/gns-2019-01-07
EDN: WBMTUY
Аннотация
Экспериментально показана возможность формирования методом ионно-лучевого осаждения квантовых точек на основе трехкомпонентных твердых растворов GaInAs различных составов на поверхность GaAs. Рассмотрены особенности технологии ионно-лучевого осаждения. Определены оптимальные соотношения компонентов твердого раствора GaInAs, при котором квантовые точки характеризуются наименьшими размерами и наибольшей плотностью. Представлены результаты исследования спектров фотолюминесценции, морфологии поверхности полученных наноструктур. Полученные результаты могут представлять практический интерес для применения в многопереходных солнечных элементах с целью повышения их КПД.
Об авторах
И. А. Сысоев
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Северо-Кавказский федеральный университет»
Россия
Россия
Д. А. Гусев
Волгодонский инженерно-технический институт – филиал НИЯУ МИФИ
Россия
Россия
А. Е. Дембицкий
Волгодонский инженерно-технический институт – филиал НИЯУ МИФИ
Россия
Россия
А. Ю. Смолин
Волгодонский инженерно-технический институт – филиал НИЯУ МИФИ
Россия
Россия
В. Ф. Катаев
Волгодонский инженерно-технический институт – филиал НИЯУ МИФИ
Россия
Россия
Список литературы
1. Леденцов, Н.Н. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры [Текст] / Н.Н. Леденцов [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т. 32, вып. 4. – С. 385-410.
2. Лунин, Л.С. Новые возможности ионно-лучевых технологий в задачах получения оптоэлектронных устройств на основе многокомпонентных соединений А3В5 [Текст] / Л.С. Лунин, И.А. Сысоев // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. – 2003. – Спец. вып. С. 53-54.
3. Лунин, Л.С. Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов [Текст] / Л.С. Лунин, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.Н. Балабанова // Неорган. материалы. – 2012. – Т. 48. – № 5. – С. 517-522.
4. Лунин, Л.С. Исследование фоточувствительных гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, выращенных методом ионно-лучевого осаждения [Текст] /Л.С. Лунин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2011. – № 6. – С. 58-62.
5. Блохин, С.А. Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / C.А. Блохин [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 4. – С. 537-542.
6. Чеботарев, С.Н. Исследование фототока в солнечных элементах на гетероструктурах с массивом квантовых точек / С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. 2013. Вып. № 2. – С. 97-99.
7. Салий, Р.А. Определение технологических параметров роста в системе InAs-GaAs для синтеза «многомодальных» квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений [Текст] / Р.А. Салий [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2015. – 49, вып. 8.
8. Благин, А.В. Физико-технологические особенности ионно-лучевого осаждения наноразмерных структур на основе твердых растворов А3В5 [Текст] / А.В. Благин [и др.] // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. – 2011. № 5. – С. 125-128.
9. Лунин, Л.С. Формирование квантовых точек InAs на подложках GaAs методом ионно-лучевого осаждения / Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко // Вестн. Южного науч. центра РАН. – 2010. – Т. 6, № 4. – С. 46-49.
10. Сысоев, И.А. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1-xAsyP1-y/GaAs в процессе ионно-лучевого осаждения [Текст] / И.А. Сысоев [и др.] // Неорганические материалы. – 2014. – Т. 50, № 3. – C. 237-244.
Рецензия
Для цитирования:
Сысоев И.А., Гусев Д.А., Дембицкий А.Е., Смолин А.Ю., Катаев В.Ф. ЭЛЕМЕНТЫ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР GaInAs, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ. Глобальная ядерная безопасность. 2019;(1):67-73. https://doi.org/10.26583/gns-2019-01-07. EDN: WBMTUY
For citation:
Sysoev I.A., Gusev D.A., Dembitsky A.E., Smolin A.Yu., Kataev V.F. ELEMENTS FOR SOLAR BATTERIES ON THE GAINAS NANOSTRUCTURE BASIS OBTAINED BY ION-BEAM DEPOSITION METHOD. Global Nuclear Safety. 2019;(1):67-73. (In Russ.) https://doi.org/10.26583/gns-2019-01-07. EDN: WBMTUY
Просмотров:
48
JATS XML
Послать статью по эл. почте 