ELEMENTS FOR SOLAR BATTERIES ON THE GAINAS NANOSTRUCTURE BASIS OBTAINED BY ION-BEAM DEPOSITION METHOD
https://doi.org/10.26583/gns-2019-01-07
EDN: WBMTUY
Abstract
The study experimentally showed the possibility of quantum dots formation based on three-component InGaAs solid solutions of various compositions on the surface of GaAs by the method of ion-beam deposition of quantum dots. The features of the technology of ion – beam deposition are considered. The optimal ratios of the of the GaInAs solid solution components are determined at which the quantum dots are characterized by the smallest dimensions, and the technological conditions are established where their density increases. The results of the study of the photoluminescence spectra and the surface morphology of the obtained nanostructures are presented. The results obtained may be of practical interest as materials for the formation of highly efficient solar cell panels on their basis, which are widely used as alternative environmentally friendly energy sources in the energy sector at present .
About the Authors
I. A. Sysoev
Federal State Autonomous Educational Institution of Higher Professional Education "North Caucasian Federal University"
Russian Federation
Russian Federation
D. A. Gusev
Volgodonsk Engineering-Technical Institute – Branch of NRNU «MEPhI»
Russian Federation
Russian Federation
A. E. Dembitsky
Volgodonsk Engineering-Technical Institute – Branch of NRNU «MEPhI»
Russian Federation
Russian Federation
A. Yu. Smolin
Volgodonsk Engineering-Technical Institute – Branch of NRNU «MEPhI»
Russian Federation
Russian Federation
V. F. Kataev
Volgodonsk Engineering-Technical Institute – Branch of NRNU «MEPhI»
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Леденцов, Н.Н. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры [Текст] / Н.Н. Леденцов [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т. 32, вып. 4. – С. 385-410.
2. Лунин, Л.С. Новые возможности ионно-лучевых технологий в задачах получения оптоэлектронных устройств на основе многокомпонентных соединений А3В5 [Текст] / Л.С. Лунин, И.А. Сысоев // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. – 2003. – Спец. вып. С. 53-54.
3. Лунин, Л.С. Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов [Текст] / Л.С. Лунин, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.Н. Балабанова // Неорган. материалы. – 2012. – Т. 48. – № 5. – С. 517-522.
4. Лунин, Л.С. Исследование фоточувствительных гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, выращенных методом ионно-лучевого осаждения [Текст] /Л.С. Лунин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2011. – № 6. – С. 58-62.
5. Блохин, С.А. Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / C.А. Блохин [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 4. – С. 537-542.
6. Чеботарев, С.Н. Исследование фототока в солнечных элементах на гетероструктурах с массивом квантовых точек / С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. 2013. Вып. № 2. – С. 97-99.
7. Салий, Р.А. Определение технологических параметров роста в системе InAs-GaAs для синтеза «многомодальных» квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений [Текст] / Р.А. Салий [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2015. – 49, вып. 8.
8. Благин, А.В. Физико-технологические особенности ионно-лучевого осаждения наноразмерных структур на основе твердых растворов А3В5 [Текст] / А.В. Благин [и др.] // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. – 2011. № 5. – С. 125-128.
9. Лунин, Л.С. Формирование квантовых точек InAs на подложках GaAs методом ионно-лучевого осаждения / Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко // Вестн. Южного науч. центра РАН. – 2010. – Т. 6, № 4. – С. 46-49.
10. Сысоев, И.А. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1-xAsyP1-y/GaAs в процессе ионно-лучевого осаждения [Текст] / И.А. Сысоев [и др.] // Неорганические материалы. – 2014. – Т. 50, № 3. – C. 237-244.
Review
For citations:
Sysoev I.A., Gusev D.A., Dembitsky A.E., Smolin A.Yu., Kataev V.F. ELEMENTS FOR SOLAR BATTERIES ON THE GAINAS NANOSTRUCTURE BASIS OBTAINED BY ION-BEAM DEPOSITION METHOD. Global Nuclear Safety. 2019;(1):67-73. (In Russ.) https://doi.org/10.26583/gns-2019-01-07. EDN: WBMTUY
Views:
45
JATS XML
Email this article 